三星与蔡司合作，蓄力下一代光刻机

       三星和蔡司合作深化EUV研发

　　三星电子正在与蔡司集团深化在下一代极紫外(EUV)光刻技术和芯片技术领域的合作。

　　三星电子执行董事长李在镕在访问位于奥伯科亨的全球光学和光电子技术集团总部时，与蔡司公司总裁兼首席执行官Karl Lamprecht及其他高管进行了会晤。

　　双方同意扩大在EUV技术和尖端半导体设备研发方面的合作，以进一步增强在代工和存储芯片领域的业务竞争力。

　　作为全球顶尖的动态随机存取存储器(DRAM)芯片生产商，三星电子与蔡司集团在EUV技术方面拥有广泛的合作基础。

　　通过与蔡司集团深化合作，三星电子期望改进其下一代半导体技术，优化芯片制造工艺，并提高先进芯片的产量。

　　通过这次合作，三星希望提升下一代半导体技术，优化芯片制造流程，提高先进芯片的生产良率。

　　蔡司还计划到2026年投资480亿韩元在韩国建设研发中心，加强同三星等韩企的战略合作，以建立其首个海外研究工作站，专注于解决方案研发。

　　三星电子的目标是推动3纳米以下的微制造工艺技术的发展，并计划在今年采用EUV光刻技术量产第六代10纳米DRAM芯片。

　　此外，该公司还计划在东北亚地区建立首个先进逻辑和存储芯片流程控制解决方案研发中心，以满足该地区对光学解决方案不断增长的需求。

　　蔡司的决定，源于韩国半导体行业以及电池和电动汽车行业对光学解决方案的旺盛需求。

　　蔡司亦提供光触发器解决方案，该方案在光刻过程中具有关键性作用。光触发器是一种具有透明区域和特定图案的不透明板或薄膜。

　　蔡司集团是全球领先的极紫外(EUV)光系统供应商ASML Holding NV的唯一光学系统供应商，对于全球芯片产业，特别是代工芯片制造商如台积电和三星电子等具有重要影响力。

　　全球光刻机光学市场规模达35亿美元，蔡司一家独大。光刻机光学部件指直接参与光的传输和处理过程精密零部件。

　　蔡司的半导体制造技术部门是其主要业务，营收逐年增长。2020年始，半导体部门超越其他部门成为蔡司的核心光学部门。

　　蔡司的四大业务部门在2022年实现营收28、21、23、16亿欧元，占比分别为31%、24%、26%、18%。

　　半导体光学营收逐年增长，且增速较其他部门始终维持高位。2015-2022财年半导体光学营收从8.9增至27.6亿欧元，CAGR达17%。

　　首台High-NA EUV光刻机正式交货

　　据相关报道，ASML Holding NV已开始向英特尔公司运送其最新芯片制造机的主要部件。

　　这一重要进展标志着双方合作关系的进一步深化，并将对半导体行业产生深远影响。

　　据不愿透露姓名的知情人士透露，该高数值孔径极紫外线系统已顺利运抵英特尔位于俄勒冈州的D1X工厂。

　　然而，英特尔和ASML的发言人对于该系统的具体目的地保持缄默，未发表任何评论。

　　ASML在去年的声明中明确指出，英特尔计划于2025年开始生产该系统。

　　D1X工厂作为英特尔研发未来生产技术的关键设施，对于提升公司竞争力具有重要意义。

　　去年九月份，ASML宣布计划在今年年底前推出业界首款高数值孔径极紫外(EUV)光刻扫描仪。

　　这一创新成果为下一代EUV光刻机的开发带来了希望之光。

　　ASML的高数值孔径扫描仪将颠覆传统半导体工厂的配置模式。

　　新型光学器件和更大规模的新光源需求，将促使工厂结构发生变革，进而引发大规模投资热潮。

　　英特尔最初计划在其18A(1.8nm)生产节点中采用ASML的High-NA工具，并定于2025年进行大规模生产。

　　然而，随着ASML预计交付其Twinscan EXE:5200，英特尔决定将18A生产的开始时间推迟至2024年下半年。

　　为实现这一目标，英特尔选择了ASML的Twinscan NXE:3600D/3800E进行两次曝光，并与应用材料公司的Endura Sculpta图案成形系统相结合，以降低EUV双图案化的使用频率。

　　与此同时，三星代工厂和台积电亦计划于2025年末在其2纳米级节点(SF2、N2)上开始芯片生产。

　　尽管High NA机器如何纳入他们的生产计划尚存疑问，但可以预见的是，这一技术将对整个行业产生重要影响。

　　除了英特尔公司外，台积电、三星、SK海力士以及美光等全球知名企业亦已订购了这款高端设备。

　　然而，鉴于该设备的运输和安装流程可能耗时长达六个月，英特尔公司的这一决策无疑使其在行业内获得了至少半年的领先优势。

　　根据媒体的相关报道，台积电、三星、美光等知名企业，除了英特尔之外，亦向ASML公司订购了先进的High NA EUV光刻机。

　　在ASML公司最近公布的财报中，显示今年第一季度公司新增订单总额达到36亿欧元，其中EUV光刻机订单金额为6.56亿欧元。

　　此外，ASML近期成功交付了第二台High NA EUV光刻机，但并未公开透露具体买家信息。

　　结尾：

　　三星电子为获取新一代EUV光刻机，早在2022年即由董事长李在镕出面与ASML达成合作意向，并签署了引进EUV光刻设备和高数值孔径(NA) EUV光刻机设备的协议。

　　另一方面，台积电亦表明，他们计划在2024年获得ASML新一代High-NA EUV光刻机，并预计在2025年正式开始量产2纳米芯片。