意法半导体新的集成RF合成器拥有低相位噪声和独特微波功能

意法半导体日前推出新的集成射频合成器，新产品内嵌压控振荡器，ST表示，综合相位噪声达到业内最低水平，而带宽则达到市场上最高水准。ST的合成器是市场上现有产品中输出频率唯一超过3GHz的单片产品。STW81101和STW81102的问世满足了移动基站、卫星通信和有线电视设备制造商对射频应用解决方案的空间尺寸和成本效益的日益增长的需求。

频率合成器构成了无线电设计的基础，其性能高低对整个系统的运行有很大的影响。相位噪声最小化和宽带频率范围最大化是今天的通信设备对信号源组件的主要需求。

定位于蜂窝网络基础设施、点对点无线电、有线电视和卫星系统专用的无线收发器应用，ST的STW81101和STW81102在整数分频比(N)的单片射频合成器中具有业内最佳的相噪性能。相噪测量值在1GHz时0.2°RMS(均方根)，在2GHz时0.5°RMS，在4GHz时1.3°RMS，频率阶跃200kHz。出色的信号随机频率波动抑制能力，为设计人员提供了更大的设计空间；更低的相位噪声则满足了系统制造商对最小化数据和语音传输中的位错误率的严格要求。

ST的新射频合成器为客户提供了多频带功能和最宽的频率范围。嵌入式压控振荡器(VCO)与中心频率自动对准和多个输出选择的整合，使得新器件能够工作在从750MHz到4.65GHz的多个频带内。现在，设备供应商只要给多频带无线应用如四频基站收发器安装一个ST的合成器即可满足性能需求，而不必再给每个频率范围安装专用的合成器。此外，STW81101和STW81102是现今3GHz和4GHz频带应用(如WiFi和WiMAX基站或者固定无线电链路)市场上的唯一的单片合成器。

双数字接口进一步增强了STW8110x系列产品的多功能性，支持可连接多台设备的I2C协议，新增串行到并行的高速(SPI)接口总线。

ST的单片射频合成器采用该公司独有的领先世界的BiCMOS SiGe制造工艺，其性能和可靠性均超越了竞争对手的解决方案，与传统的分立器件相比，材料成本和占位尺寸缩减高达60%。

“ST提高了集成射频合成器的性能标杆，满足了系统制造商对更高的灵活性和集成度的解决方案的需求。”ST无线通信基础设施射频产品部市场经理Guillaume Pertinant表示，“同时，我们是市场上第一个针对新兴的高速增长的微波应用推出单片合成器的厂商。”

STW81101和STW81102与上一代产品(STW81100)引脚对引脚兼容，芯片封装采用QFN-28无铅封装。评估工具套件包括评估板、STWPLLSim锁相环滤波器设计和噪声仿真软件、编程GUI(图形用户界面)和应用板设计指导原则。

新的STWPLLSim是一个功能强大、用户友好的互动工具，能够快速、准确地设计锁相环，从高级参数(如环路带宽和相补角)开始优化STW8110x器件。噪声建模精度确保在很短的时间内完成第一回路滤波器设计，而传统的手工优化则需要很长的设计周期。

评估套件和正式产品将于2006年5月上市，如果批量订货，STW81101和STW81102 的单价是3美元。