碳化硅晶圆技术突破4寸晶圆
据称，该公司新开发出的碳化硅（SiC）晶圆能够承受比普通硅晶圆高10倍的电压，热导率也要高出3倍。
碳化硅化和物是在2,400摄氏度甚至更高的温度下通过材料再结晶制备的。由于质量控制难度较高，当前还只能生产直径为2至3寸的SiC晶圆，主要用于科研。
Nippon Steel表示其在温度控制等方面取得的技术突破使得生产4寸SiC晶圆成为可能，这一尺寸的晶圆已可用于实际的半导体生产线.
碳化硅化和物是在2,400摄氏度甚至更高的温度下通过材料再结晶制备的。由于质量控制难度较高，当前还只能生产直径为2至3寸的SiC晶圆，主要用于科研。
Nippon Steel表示其在温度控制等方面取得的技术突破使得生产4寸SiC晶圆成为可能，这一尺寸的晶圆已可用于实际的半导体生产线.
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