Vishay的两款产品分别荣获2012年度最佳产品奖和年度优秀产品奖

　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 11 月19 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其45V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器和VJ 系列无磁性 MLCC分别荣获EDN China 2012创新奖年度最佳产品奖和年度优秀产品奖，颁奖典礼11月15日在上海举行。

　　EDN China创新奖始于2005年，表彰中国市场上IC和相关产品在设计上的创新成就。今年共有71家公司的128款产品角逐9个技术门类的奖项。EDN China的在线读者投票选出入围产品，由技术专家组和EDN的高级编辑选出最后的获胜者。

　　Vishay的45V TMBS整流器包括双片V(B,F)T1045CBP、V(B,F)T2045CBP、V(B,F)T3045CBP和V(B,F)T6045CBP。每款器件均提供功率TO-220AB、ITO-220AB和TO-263AB封装。这些整流器的电流等级从10A至60A，在10A下具有0.33V的极低正向压降，非常适合在太阳能电池接线盒中用做保护旁路二极管。

　　所有45V整流器的最高工作结温为150℃，在没有反向偏置(t≤1小时)的直流正向电流情况下的最高结温小于200℃。TO-263AB封装的潮湿敏感度等级达到J-STD-020的1级，LF最高峰值达到245℃。TO-220AB和ITO-220AB封装的最高焊浴温度为275℃，持续10秒，符合per JESD 22-B106及IEC 61249-2-21的无卤素规定。

　　TMBS整流器数据表链接如下：

　　http://www.vishay.com/diodes/rectifiers/schottky-tmbs/

　　Vishay的VJ 无磁性系列MLCC采用无磁材料制造，在进行最后封装前对磁特性进行了100%的安全筛选。器件一般可用于MRI设备、植入式医疗设备、对强磁性敏感的设备、电子测试系统和高端音频放大器的滤波电路中。

　　VJ 无磁性系列具有0402至3640共11种外形尺寸，电压范围从6.3VDC至3000VDC。器件的容量范围0.5pF～56nF(采用C0G电介质)和100pF～6.8μF(采用X7R/X5R电介质)，工作温度-55℃～+125℃。电容器在-55℃～+125℃温度下容量温度系数(TCC)为30ppm/℃(C0G)，-55℃～+85℃的TCC为15%(X5R)，-55℃～+125℃的TCC为15%(X7R)。

　　VJ Non-Magnetic系列的数据表链接如下：

　　http://www.vishay.com/doc?45128

　　所有EDN China 2012创新奖获奖产品的信息见http://www.ednchina.com/award/2012/。

　　VISHAY简介

　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”，是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。