富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件
上海,2012年11月20日 –富士通半导体(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。
与传统硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率,并使电源单元更加紧凑。富士通半导体计划在硅基板上进行GaN功率器件的商业化,从而可以通过硅晶圆直径的增加,来实现低成本生产。按照此目标,富士通半导体自2009年起就在开发批量生产技术。此外,富士通半导体自2011年起开始向特定电源相关合作伙伴提供GaN功率器件样品,并对之进行优化,以便应用在电源单元中。
将该项技术的开发成功也意味着富士通半导体铺平了其GaN功率器件用于高压、大电流应用的道路。
富士通半导体最近在其会津若松工厂建成了一条6英寸晶圆大规模生产线,并将在2013年下半年开始GaN功率器件的满负荷生产。今后,通过提供针对客户应用而优化的功率器件以及电路设计技术支持,富士通半导体将支持用途广泛的低损耗、高集成的电源单元的开发。富士通半导体希望其GaN功率器件销售收入在2015财年达到约100亿日元。
富士通半导体将在2012年11月14-16日在太平洋横滨 (Pacifico Yokohama) 会展中心举行的2012嵌入式技术展 (Embedded Technology 2012) 上展出其GaN功率器件。
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