无锡凤凰高电流密度NPT型IGBT芯片科技成果通过鉴定

　　无锡凤凰半导体科技有限公司“高电流密度NPT型IGBT芯片”科技成果鉴定会今日顺利举行。会议成立了由电力电子业界权威专家组成的鉴定委员会，无锡市科技局副局长赵建平、滨湖区副区长吴建昌、滨湖区科技局局长吴云亮、滨湖区科技局副局长祁华等领导也亲临指导。鉴定会由中国电器工业协会电力电子分会组织并主持。

　　无锡凤凰半导体科技有限公司总经理屈志军、副总经理梁为民及项目组有关人员向鉴定委员会做了立项、设计、研制、工艺、测试、用户使用、经济分析等报告，简明扼要阐述了整个项目的完成过程。

　　屈总认为，IGBT作为一种高节能型开关器件，其销量势头迅猛、发展潜力巨大、市场前景广阔，是国际公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品。但由于IGBT对技术要求较高，目前在我国国内基本为封装环节，国内企业并未掌握核心技术，以致市场需求的IGBT基本依靠进口，国内市场主要被欧美、日本企业所垄断。无锡凤凰基于对国内外市场形势的准确判断，并以发展民族电力电子器件产业为己任，于2008年9月开始开发IGBT系列芯片。经过一年多时间的攻关，项目终于顺利完成。

　　无锡凤凰半导体科技有限公司总经理屈志军　无锡凤凰半导体科技有限公司副总经理梁为民

　　据介绍，该项目采用自主研发的薄片工艺生产NPT平面型IGBT芯片，实现国内首条薄片NPT-IGBT芯片生产线，具有高电流密度、正温度系数、低通态损耗、快速及低成本等优点。并根据市场需求，首先开发1200V，20A的器件，应用于电磁炉产品。

　　鉴定委员会专家认真听取了课题组所做的报告，审查了有关技术文件，并进行了现场抽样检测，参观了工艺线，同时进行了相关提问。专家指出：该项目基于仿真平台对器件元胞结构参数进行优化设计，并采用独特的背面制造工艺，提高了电流密度，降低了功耗；采用自主研发的电子辐照工艺，有效地控制了载流子寿命，提高了器件的一致性和频率特性；改造了原有工艺设备，满足了薄片工艺要求，为产业化奠定了基础。项目具有自主知识产权，创新性强。最后，鉴定委员会经讨论认为：该项目成果技术指标先进，主要技术参数达到国际同类产品的先进水平，一致同意通过科技成果鉴定。并建议加速产业化，满足市场需求。

　　无锡市科技局副局长赵建平及滨湖区副区长吴建昌在讲话中高度赞赏无锡凤凰的高起点和高效率，认为在如此短时间内完成具有国际先进水平的高科技项目实属难能可贵，并表示一如既往全方位支持无锡凤凰快速持续发展，同时大力推广凤凰模式——将本土传统产业资本与海外高科技产业嫁接合作，加快促进无锡传统产业向高端化发展。

　　无锡凤凰半导体科技有限公司董事长陈卫宏先生对于各位专家和领导亲临指导表示衷心的感谢，并表示集团公司将全力支持以屈志军领衔的“凤凰半导体”博士科研团队充分发挥自身技术优势，同时借鉴集团公司多年积累的营销经验，迅速将高新技术推向市场，加速产业化，满足日益扩大的市场需求，从而实现科技报国的宏愿。

　　关于无锡凤凰

　　无锡凤凰半导体科技有限公司是2008年7月由海外归国创业人才团队在无锡注册成立的专门从事专业电力电子半导体器件及模块生产的高科技公司。由多名留美博士共同组成核心研发团队，开发生产IGBT等电源管理芯片。是江苏省无锡市重点扶植的530高科技企业。公司在无锡滨湖经济开发区拥有1.5万平方米厂房，在无锡太湖新城科教产业园设立研发中心。现有千级净化车间1000平方米及与生产配套的可靠性实验室、器件测试实验室、失效分析实验室。公司以电源管理系统器件为主营产品，是一家集研发、生产、销售一体化的企业。主营产品有绝缘栅双极性三级管IGBT、FRED、MOSFET、功率IC芯片；电动车、电焊机、电机变频调速、灯光控制等功率模块。