广岛大学开发并公开了IGBT模型“HiSIM-IGBT”

广岛大学HiSIM研究中心的研究小组开发了IGBT（insulated gate bipolartransistor）电路设计和检测用模型“HiSIM-IGBT”,并于5月10日在该大学向新闻媒体作了发布。并披露，已经面向车载集成电路设计人员等公开了该模型。
广岛大学从2005年开始就一直与丰田和丰田中央研究所共同研究普通车载用IGBT（insulated gate bipolartransistor）的模型。IGBT组合使用了双极晶体管和MOSFET,而联合研究小组则推导出可不分离这两个晶体管，而整体模拟IGBT的模型公式，从而开发出了HiSIM-IGBT.制成一体化模型是为了精确表达两个晶体管之间的相互作用。


HiSIM-IGBT以广岛大学和半导体理工学研究中心（STARC）联合开发的MOSFET模型“HiSIM（Hiroshima-universitySTARC IGFET Model）”为骨架，并统合了双极晶体管模型（参阅本站报道）。据介绍，采用HiSIM-IGBT使设计高精度电路成为可能，有望大幅推进能源利用的高效率化。


模型的精度和稳定性评测已完成，已达到可公开的程度。据称，有为模型做嵌入式评测的EDA工具供应商已表示，即便是大电流电路和大电压电路，也可以稳定预测特性。广岛大学打算通过发布该模型，使更多的用户利用，以便进一步改进。