TriQuint推出具有卓越增益的新氮化镓晶体管，可使放大器尺寸减小50%

分类：行业资讯日期：2012-12-18 11:22:27 来源：西部工控网

　　中国上海 - 2012年12月18 日 - 技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克代码：TQNT)，推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓 (GaN) HEMT 射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6 GHz宽广的工作频率上提供30-37W (CW) 射频输出功率。它们是商业通信和测试设备系统等类似的宽带系统应用的理想选择。

　　TriQuint新的氮化镓功率晶体管包括28V的T1G6003028-FS，其工作频率为直流至6 GHz，提供30W的输出功率，在3.5 GHz和6 GHz频率时的效率分别为55%和44%。T1G6003028-FL提供相同的性能，并且采用法兰封装来满足不同封装的要求。TriQuint新的32V的T1G4003532-FS和法兰封装的T1G4003532-FL是用于S波段及类似应用的理想选择。它们在直流至3.5 GHz工作频率下提供37W (CW) 输出功率。上述两种32V器件均在3.5 GHz和6 GHz分别提供大于16dB和10dB的增益;其附加功率效率(PAE) 在5GHz和6GHz分别为60%和49.6%。

　　所有四款新的氮化镓晶体管均可承受高达10:1的驻波比(VSWR) 失配而不损害功能，同时为在高漏偏压条件下工作而优化，从而降低系统成本和散热管理成本。所有器件均可出口至大多数国家;详情请与TriQuint联系。

　　技术规格 – 新的TriQuint 氮化镓晶体管：

T1G6003028-FS	直流至6 GHz的氮化镓射频功率晶体管：30W；在3.5 GHz时, 增益为14dB；在6 GHz时，增益为10dB；漏极效率：在3.5 GHz时为55%, 在6 GHz时为44%；28V在200 mA，承受10:1 驻波比，EAR99无法兰封装。
T1G6003028-FL	直流至6 GHz的氮化镓射频功率晶体管：30W；在3.5 GHz时, 增益为14dB；在6 GHz时，增益为10dB；漏极效率：在3.5 GHz时为55%, 在6 GHz时为44%；28V在200 mA，承受10:1 驻波比，EAR99法兰封装。
T1G4003532-FS	直流至3.5 GHz的氮化镓射频功率晶体管：30W CW；在3.5 GHz时, 增益超过16dB；在6 GHz时，增益为10dB；附加功率效率：在5 GHz时为60%, 在6 GHz时为49.6%；32V在2.4 A，承受10:1 驻波比，EAR99无法兰封装。
T1G4003532-FL	直流至3.5 GHz的氮化镓射频功率晶体管：37W CW；在3.5 GHz时, 增益超过16dB；在6 GHz时，增益为10dB；附加功率效率：在5 GHz时为60%, 在6 GHz时为49.6%；32V在2.4 A，承受10:1 驻波比，EAR99无法兰封装。

　　如需样品和评估板请联系产品营销部。访问TriQuint网站来接洽所在地区的销售代表。

　　关于TriQuint

　　成立于1985年的TriQuint半导体公司(纳斯达克代码：TQNT)是提供世界领先水平的通信、国防和航空航天公司创新射频解决方案与代工服务的全球领先供应商。世界各地的人们和组织都需要实时、不间断的通信联系;TriQuint产品可帮助降低用于提供关键语音、数据和视频通信的互联移动设备与网络的成本和提高它们的性能。凭借业内最广泛的技术系列、公认的研发领先地位以及在大规模制造领域的专业知识，TriQuint生产基于砷化镓 (GaAs)、氮化镓 (GaN)、声表面波 (SAW) 和体声波 (BAW) 技术的标准及定制产品。该公司在美国拥有多家已通过ISO9001认证的制造工厂，在哥斯达黎加拥有生产中心，在北美地区和德国拥有设计中心。欲知更多信息请访问http://cn.triquint.com/。

　　前瞻性声明

　　本TriQuint半导体公司(纳斯达克股票代码：TQNT)新闻稿包含依据1995年《私人证券诉讼改革法》的“安全港”条款所做的前瞻性声明。读者须知前瞻性声明包含风险与不确定性。本新闻稿中所做的警示性声明适用于所有相关声明，不论它们出现在什么地方。包含‘领导’、‘极’、‘卓越’、‘高性能’、 ‘理想’等字词或类似表述的声明应被视为包含不确定性和属于前瞻性声明。有许多因素都会影响TriQuint的经营结果，并可能造成其未来实际结果与本新闻稿中或者由TriQuint或代表TriQuint所做的任何其他前瞻性声明中所述的任何结果出现实质性出入，这些因素包括但不限于：与客户对我们的产品与技术的接受程度及需求的不可预测性和变动性有关的因素，我们生产工厂的能力和我们的供应商在满足我们的需求方面的因素，我们生产工厂的能力和我们的供应商以足以保持盈利的产量来生产产品的因素，以及TriQuint在美国证券与交易委员会备案的最新10-Q报告中阐述的其他 “风险因素”。本报告和其他报告可在美国证券交易委员会网站 (www.sec.gov) 上找到。本新闻稿的读者应当理解，这些和其他风险因素可能造成实际结果与前瞻性声明中明示/暗示的期望出现实质性出入。

　　新闻联系人：

　　TriQuint Semiconductor

　　林伟琪(Claudia Pike)

　　亚太区营销传播经理

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