中外合作提升我国芯片产业制造能力

国家“十二五”科技创新成就展日前在北京展览馆闭幕，本次展览集中展示了五年来科技创新改革取得的新进展和新成果，吸引了大批观众到现场参观体验。

自“创新驱动发展”战略提出以来，中国创新步伐持续加快，经济增长的科技含量不断提升。这其中既有科研人员独立自主研发的先进技术，也有通过国际合作产出的丰硕成果。“十二五”科技创新成就展上，在集成电路和芯片制造领域，中外合作的优秀成果就引起了众多关注。

《国家创新驱动发展战略纲要》中明确指出，要实施重大科技项目和工程，实现重点跨越。攻克高端通用芯片、集成电路装备等方面的关键核心技术，形成若干战略性技术和战略性产品，培育新兴产业。此次“十二五”科技创新成就展上，中芯国际集成电路制造有限公司展出了中国大陆首款28纳米量产芯片产品，这款名为“骁龙410”的芯片产品主要应用于智能手机，使用了中芯国际与美国高通公司联合研发的28纳米制程工艺的先进晶圆技术。新技术提升了企业的制造能力，满足了不断发展的国内外市场需求。

据了解，美国高通公司是全球无线技术的领军企业，也是全球最大的无晶圆厂半导体设计公司，其骁龙处理器专为移动终端而设计。中芯国际很早之前就与高通合作，并于2014年7月宣布联合发展28纳米制程工艺的先进晶圆技术；2015年6月，中芯国际、华为、比利时微电子研究中心（imec）与高通一同宣布共同投资中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司，主要面向下一代14纳米先进工艺制程的研发。这一系列合作协议的签订和合作关系的建立，改变了我国在芯片制造和集成电路领域的落后局面，大幅提升了产业制造能力，并将进一步完善中国整体芯片加工产业链。

美国高通公司总裁德里克·阿博利与中芯国际董事长周子学在用采用中芯国际生产的骁龙芯片的智能手机通话

“十三五”规划指出，“发挥科技创新在全面创新中的引领作用，加强基础研究，强化原始创新、集成创新和引进消化吸收再创新，着力增强自主创新能力，为经济社会发展提供持久动力。”近代以后，由于国内外各种原因，我国屡次与科技革命失之交臂，错失了发展的良好机遇。处于国际分工价值链条的中低端环节、经济依靠劳动密集型和资源密集型产业的现状，使得中国在对外经济合作中付出了高昂的资源和环境代价。加快提升对外开放合作层次，向创新环节延伸，在更高层次上参与国际资源配置和国际产业分工合作，既是国内经济转型发展的现实需要，也是应对国际分工格局深层次调整的迫切要求。

经过新中国成立以来特别是改革开放以来不懈努力，我国科技发展取得举世瞩目的伟大成就，科技整体能力持续提升，一些重要领域方向跻身世界先进行列，某些前沿方向开始进入并行、领跑阶段，正处于从量的积累向质的飞跃、点的突破向系统能力提升的重要时期。

事实证明，创新是引领发展的重要动力，创新也可以成为国际合作的新增长点。据统计，目前中国已与156个国家和地区建立了科技合作，加入了200多个政府间科技合作组织。在全球视野谋划下，通过国际合作推动科技创新，必将成为创新驱动中国的重要实践渠道，带领我国经济社会发展不断前行。