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打破“缺芯之痛” 存储器芯片国产化布局加速

“未来30年,如果我们不解决芯片自己制造的问题,所谓的信息化时代会失去一个非常重要的依托和基础。”中国科学院微电子研究所所长叶甜春16日在福建晋江举行的国际集成电路产业发展高峰论坛上如是说。

据介绍,存储器芯片是智能手机、平板电脑、可穿戴设备等各种智能终端产品不可或缺的关键器件。然而,我国一直是全球集成电路领域最大贸易逆差国,每年进口额超过两千亿美元,其中,存储器芯片是国内集成电路产业链的主要短板,长期以来市场一直被海外巨头牢牢把握。以动态随机存取存储器(DRAM)和闪存(NANDFlash)两种主要存储芯片为例,今年第一季度,DRAM市场93%份额由韩国三星、海力士和美国美光科技三家占据,而闪存市场几乎全部被三星、海力士、东芝、闪迪、美光和英特尔等六家瓜分。

大力发展存储器不仅是市场需求,同时也是信息安全和产业安全的战略需要。国家集成电路产业投资基金总裁丁文武在论坛上表示,应该把发展存储器芯片作为国家战略来实施。

据悉,为打破“缺芯之痛”,国内多地开始斥巨资布局存储器芯片研发生产领域。目前,北京、武汉、晋江等地发展存储器产业的积极性高涨,各种资金也加速向这一领域汇集。

当日,一期投资370亿元的福建晋华存储器集成电路生产线项目在福建晋江开工。该项目着力打造具有自主知识产权的世界级存储器集成电路产业链,预计于2018年9月形成月产6万片12寸晶圆的生产规模,项目建成后将填补我国主流存储器集成电路产业空白。

在此之前,北京紫光集团旗下同方国芯宣布计划定增800亿元,投入存储芯片工厂和上下游产业链布局;另外在武汉,今年3月下旬,总投资约1600亿元人民币的存储器基地项目在东湖高新区正式启动,计划到2020年实现月产能30万片晶圆的生产规模。以此测算,这三家企业在存储器芯片方面的投资总额将超过2700亿人民币。

出席论坛的台湾集邦科技研究协理郭祚荣在接受记者采访时表示,目前海外企业在存储器领域资本输出放缓,产出也会相应减少,这为大陆企业带来良好契机。未来五到十年内,大陆企业有机会与世界行业巨头平起平坐。

充沛的资金支持和巨大的内需市场,以及业已形成的本土化集成电路产业生态,为国内企业进军存储器芯片领域提供了发展基础。但不容忽视的是,存储器芯片面临高技术壁垒和激烈的全球化竞争,之前就有许多涉足存储器芯片领域的厂商最后被迫退出市场的先例。

为此,叶甜春表示,国内企业在当前新形势下发展存储器产业,不应只是简单追赶,而要更加注重技术原创和市场创新;应做好长期准备,在资金上确保持续投入;另外,更为关键的是,要在立足自身市场特点的基础上追求世界领先水平。


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