打破“缺芯之痛” 存储器芯片国产化布局加速

“未来30年，如果我们不解决芯片自己制造的问题，所谓的信息化时代会失去一个非常重要的依托和基础。”中国科学院微电子研究所所长叶甜春16日在福建晋江举行的国际集成电路产业发展高峰论坛上如是说。

据介绍，存储器芯片是智能手机、平板电脑、可穿戴设备等各种智能终端产品不可或缺的关键器件。然而，我国一直是全球集成电路领域最大贸易逆差国，每年进口额超过两千亿美元，其中，存储器芯片是国内集成电路产业链的主要短板，长期以来市场一直被海外巨头牢牢把握。以动态随机存取存储器（DRAM）和闪存（NANDFlash）两种主要存储芯片为例，今年第一季度，DRAM市场93%份额由韩国三星、海力士和美国美光科技三家占据，而闪存市场几乎全部被三星、海力士、东芝、闪迪、美光和英特尔等六家瓜分。

大力发展存储器不仅是市场需求，同时也是信息安全和产业安全的战略需要。国家集成电路产业投资基金总裁丁文武在论坛上表示，应该把发展存储器芯片作为国家战略来实施。

据悉，为打破“缺芯之痛”，国内多地开始斥巨资布局存储器芯片研发生产领域。目前，北京、武汉、晋江等地发展存储器产业的积极性高涨，各种资金也加速向这一领域汇集。

当日，一期投资370亿元的福建晋华存储器集成电路生产线项目在福建晋江开工。该项目着力打造具有自主知识产权的世界级存储器集成电路产业链，预计于2018年9月形成月产6万片12寸晶圆的生产规模，项目建成后将填补我国主流存储器集成电路产业空白。

在此之前，北京紫光集团旗下同方国芯宣布计划定增800亿元，投入存储芯片工厂和上下游产业链布局；另外在武汉，今年3月下旬，总投资约1600亿元人民币的存储器基地项目在东湖高新区正式启动，计划到2020年实现月产能30万片晶圆的生产规模。以此测算，这三家企业在存储器芯片方面的投资总额将超过2700亿人民币。

出席论坛的台湾集邦科技研究协理郭祚荣在接受记者采访时表示，目前海外企业在存储器领域资本输出放缓，产出也会相应减少，这为大陆企业带来良好契机。未来五到十年内，大陆企业有机会与世界行业巨头平起平坐。

充沛的资金支持和巨大的内需市场，以及业已形成的本土化集成电路产业生态，为国内企业进军存储器芯片领域提供了发展基础。但不容忽视的是，存储器芯片面临高技术壁垒和激烈的全球化竞争，之前就有许多涉足存储器芯片领域的厂商最后被迫退出市场的先例。

为此，叶甜春表示，国内企业在当前新形势下发展存储器产业，不应只是简单追赶，而要更加注重技术原创和市场创新；应做好长期准备，在资金上确保持续投入；另外，更为关键的是，要在立足自身市场特点的基础上追求世界领先水平。