英特尔、三星向高通基频芯片领导地位发起挑战

　　根据国外媒体TheStreet报导，在几乎垄断4GLTE与3GEV-DO基频芯片市场的大厂高通（Qualcomm），过去所采用的IP授权手段，以限制其他竞争对手介入市场的手法，目前已开始遭到包括苹果（Apple）等厂商的反弹后，这也使得竞争对手包括英特尔与三星，陆续推出新的芯片。这对近来面临诉讼困境的高通而言，又可能要造成更大的冲击。

　　报导指出，英特尔日前宣布推出名为XMM7560的2G/3G/4G基频芯片，可支持最大1Gbps下载与225Mbps上传速度。XMM7560采用英特尔14纳米制程，比起前一代采28纳米制程的XMM7480，以及部分iPhone7/7Plus所使用的XMM7360更加先进。除了最大下载速度外，在XMM7560的多重载波聚合性能上也有大幅的提升。

　　XMM7560是第一个可支持3GEV-DO网络的英特尔基频芯片。目前，包括Verizon、Sprint、中国电信等多家电信厂商都仍在使用3GEV-DO网络。由此看来，XMM7560很有机会协助英特尔，从高通手中抢下更多苹果iPhone智能手机市场。

　　市场分析机构Susquehanna预测，如果苹果降低对高通芯片的依赖，进而全面采用英特尔芯片，那么高通将可能损失10到14亿美元的年营收。而基频芯片平均价格较低的英特尔，则有机会取得800万至11亿美元的年营收成长。

　　另外，三星即将推出的Exynos8895行动芯片，内建8核心，并支持1Gbps的最大下载速度。由于Exynos8895与高通旗舰行动芯片Snapdragon835一样，都采用三星的10纳米制程，使得Exynos8895的多重载波聚合效能，也比前一代Exynos8890有所提升。

　　根据市场消息，包括Snapdragon835与Exynos8895都预计将使用于三星GalaxyS8旗舰型智能手机上。因此，高通在Snapdragon835的代工上之所以选择三星，而非以往由台积电来代为生产，就可能是因为与三星协商后，希望能搭上三星的GalaxyS8旗舰型智能手机的结果。然而，三星在Exynos8895的4G资料技术进步，也对高通造成了不小的威胁。这使得三星最终可能会减少高通芯片的使用，或以此做为议价的筹码。

　　至于，高通本身所最新发布的SnapdragonX20基频芯片，则是拥有1.2Gbps最大下载速度，以及5x多重载波聚合的效能。只是，SnapdragonX20最快要等到2018年上半年才会开始出货。因此，将没有机会使用在2017年推出的苹果或三星旗舰手机上。

　　事实上，高通基频芯片部门在2016年第四季的出货量，已较前1年少了10%，并可能在2017年第一季再下跌2%至13%的比率。加上苹果与英特尔的结盟、智能手机市场成长减缓，以及联发科、展讯等亚洲芯片厂商的竞争，都对高通数据芯片部门造成不小压力。

　　因此，除了功耗、尺寸上较Snapdragon820进步外，新款Snapdragon835也瞄准了无人机、VR/AR头盔、笔记型电脑等应用，因此，Snapdragon835被看好能带动高通整体在2017年的发展。此外，高通还投入470亿美元买下恩智浦半导体（NXP），介入车用电子市场的领域，此举或许能减少高通对行动芯片业务的依赖。而英特尔打算缩减行动部门的研发预算，也给了高通稍有喘息的空间。如此，未来高通能否接其他领域的发展，继续保持于基频芯片市场的地位，则有待进一步观察。