Vishay Siliconix推出业内导通电阻最低的MOSFET器件

Vishay Siliconix推出业内导通电阻最低的MOSFET器件

器件为业界首款采用PowerPAIR® 6mmx3.7 mm封装和TrenchFET Gen III技术的非对称双通道TrenchFET®功率MOSFET；在10V下具有低至3.3mΩ的低导通电阻，+70℃下的最大电流为24A

宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 11 月 16 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出首款采用PowerPAIR® 6mmx3.7mm封装和TrenchFET Gen III技术的非对称双通道TrenchFET®功率MOSFET --- SiZ710DT，新器件比前一代器件的导通电阻减小43%，同时具有更高的最大电流并提高效率。SiZ710DT在一个小尺寸封装中整合了低边和高边MOSFET，具有业界同类器件中最低的导通电阻，比DC-DC转换器中使用两个分立器件的方案能节省很多空间。

Vishay将在Electronica 2010的A5-143展位进行产品演示，向来宾展示在同步降压电路中该产品的优异性能和PowerPAIR封装节省空间的功效。

在PowerPAIR封装出现之前，设计者只能使用两个单独的器件来达到系统电源、POL、低电流DC/DC，以及笔记本电脑、VRM、电源模块、图形卡、服务器和游戏机所需的低导通电阻和更高的最大电流。SiZ710DT的性能规格使设计者能用SiZ710DT比两个分立 PowerPAK 1212-8 器件小1/3，或是比两个分立SO-8 器件小2/3的一个器件完成设计，节省方案成本和空间，包括两个分立MOSFET之间的PCB间隙和标注面积。此外，在更低电流和更低电压应用中替换SO-8器件还可以提高效率。

一片PowerPAK 1212-8或SO-8的导通电阻可以分别低至5mΩ或4mΩ。然而，SiZ710DT的低边Channel 2 MOSFET利用了非对称结构在优化空间上的效果，在10V和4.5V下的导通电阻低至3.3mΩ和4.3mΩ，在+25℃和+70℃下的最大电流为30A和24A。另外，高边Channel 1 MOSFET的导通电阻也有改善，在10V和4.5V下分别为6.8mΩ和9.0mΩ。

由于两个MOSFET已经在PowerPAIR封装内部连接，布线变得更加简单，同时也减小了PCB印制的寄生电感，提高了效率。此外，SiZ710DT的引脚进行了精心布置，输入引脚排在一侧，输出引脚排在另一侧。

器件通过Rg和UIS的所有测试，符合RoHS指令2002/95/EC，并满足IEC 61249-2-21的无卤素规定。

新款SiZ710DT TrenchFET功率MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周到十四周。

VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。

新闻联系人：

VISHAY
王真（Jenny Wang）
地址：上海市淮海西路 55 号 申通信息广场 15 楼 D 座
电话：（8621）52585000-6052
传真：（8621）52587979
Email：Jenny.wang@vishay.com

煜治时代信息咨询（北京）有限公司
乔治（George Qiao）
地址：北京市朝阳区朝外大街甲6号万通中心A座4层023室，邮编：100020
电话：（8610）59071501/2
传真：（8610）59073151
Email：George.qiao@geomatrixpr.com