Vishay Siliconix 再次刷新业内最小N沟道和P沟道功率MOSFET记录

宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 10 月20 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFET®功率MOSFET所用的MICRO FOOT®封装的占板面积比仅次于它的最小芯片级器件最高可减少36%，而导通电阻则与之相当甚至更低。

Si8802DB和Si8805EDB可用于手持设备中的负载切换，包括智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器和移动计算设备。在这些应用中，MOSFET的0.357mm超薄身材能够节约宝贵的电路板空间，实现更小、更薄的移动产品。

今天发布的器件在1.5V下具有低导通电阻，而且在栅极驱动仅有1.2V的情况下也能导通。这样MOSFET能够使用手持设备中常见的低压电源轨，省却额外的电阻和用于P沟道负载切换的电压源，从而简化设计，并能在N沟道负载切换中使两次充电之间的电池工作时间更长。

N沟道Si8802DB在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下的导通电阻为54mΩ、60mΩ、68mΩ、86mΩ和135mΩ。器件封装的外形尺寸比仅次于它的最小器件小36%，在1.8V和1.5V下的导通电阻分别低5.5%和7.5%。

P沟道Si8805EDB在4.5V、2.5V、1.5V和1.2V下的导通电阻为68mΩ、88mΩ、155mΩ和290mΩ。Si8805EDB所占的电路板空间比仅次于它的最小P沟道器件少29%，在4.5V、2.5V下的导通电阻分别低17%和8%。Si8802DB和Si8805EDB的更低导通电阻能够将负载切换过程中的电压降最小化，防止出现有害的欠压闭锁。

器件符合IEC 61249-2-21的无卤素规定，及RoHS指令2002/95/EC。Si8805EDB的ESD保护为1500V。

新款Si8802DB和Si8805EDB TrenchFET功率MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周到十四周。

VISHAY简介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。

MICRO FOOT®和TrenchFET®是Siliconix公司的注册商标。

新闻联系人：

VISHAY

王真（Jenny Wang）

地址：上海市淮海西路 55 号 申通信息广场 15 楼 D 座

电话：（8621）52585000-6052

传真：（8621）52587979

Email：Jenny.wang@vishay.com

煜治时代信息咨询（北京）有限公司

乔治（George Qiao）

地址：北京市朝阳区关东店南街2号旺座中心东塔715室，邮编：100020

电话：（8610）52078015/8016

传真：（8610）52078017

Email：George.qiao@geomatrixpr.com