三星携手海力士开发下一代半导体技术
原本互相竞争的三星电子和海力士为研发下一代半导体、国际标准化和扩大设备及材料国产化，决定携手合作。从9月份开始，双方共同研发兆兆位级(万亿比特)下一代半导体“STT-R随机存储器”的原创技术。
两家公司计划从2012年开始重点研发“STT-M随机存储器”，以满足逐渐出现的市场需求。“STT-M随机存储器”是下一代存储器中性能最好的产品，因此，一旦确保基础技术，就可以每年节约5亿美元的专利使用费。
此外，为提高半导体设备及材料的国产化，三星电子和海力士还决定在明年年底前追加购买6463亿韩元的国产设备和材料。
两家公司计划从2012年开始重点研发“STT-M随机存储器”，以满足逐渐出现的市场需求。“STT-M随机存储器”是下一代存储器中性能最好的产品，因此，一旦确保基础技术，就可以每年节约5亿美元的专利使用费。
此外，为提高半导体设备及材料的国产化，三星电子和海力士还决定在明年年底前追加购买6463亿韩元的国产设备和材料。
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