宏力推出客户定制嵌入式闪存IP设计服务
上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一， 开发了其针对不同应用的多样化设计方案。基于该设计方案，客户可在宏力半导体经过硅验证的技术平台上进行设计，从而更为有效，同时减少风险。
丰富的高性能、通过硅验证的IP模块系列，对客户现有的IC设计起到了优势互补的作用。该系列可提供各种混合信号IP，内嵌ESD保护电路的高性能IO，以及嵌入式闪存IP模块 (包括BIST和flash macros等)。
宏力半导体是唯一一家由SST授权拥有0.25－0.13微米系列SuperFlash ?技术、包括设计和生产服务的晶圆代工厂。其最新的设计成果是通过闪存 IP的硅片结果验证了0.13微米基于SST自对准分裂栅单元。该器件性能卓越，可重复擦写10万次以上，数据可保留100年。宏力半导体的闪存IP具有低功耗、可快速编程擦除、以及设计灵活、面积小的等特点。IP扩展度高达16M bit，适用高端和低端不同嵌入式系统的需求，包括智能卡，汽车系统等。
“宏力已经建立了一支拥有闪存 IP 设计专家的团队，而此次硅验证的数据很好地证明了这支团队的杰出设计能力。这次0.13微米闪存芯片的IP取得如此之好的测试结果，远远超出我们的预期。在这次成功的基础上，我们将继续拓宽宏力半导体的0.18微米和0.13微米的Flash IP系列。”宏力半导体销售市场服务单位资深副总Peter Weigand表示，“除了我们现有众多的IP设计模块，宏力现在还能为客户提供快速、灵活的定制服务，以满足嵌入式闪存的应用需求，从而提高客户产品的竞争力，并降低设计风险。”
丰富的高性能、通过硅验证的IP模块系列，对客户现有的IC设计起到了优势互补的作用。该系列可提供各种混合信号IP，内嵌ESD保护电路的高性能IO，以及嵌入式闪存IP模块 (包括BIST和flash macros等)。
宏力半导体是唯一一家由SST授权拥有0.25－0.13微米系列SuperFlash ?技术、包括设计和生产服务的晶圆代工厂。其最新的设计成果是通过闪存 IP的硅片结果验证了0.13微米基于SST自对准分裂栅单元。该器件性能卓越，可重复擦写10万次以上，数据可保留100年。宏力半导体的闪存IP具有低功耗、可快速编程擦除、以及设计灵活、面积小的等特点。IP扩展度高达16M bit，适用高端和低端不同嵌入式系统的需求，包括智能卡，汽车系统等。
“宏力已经建立了一支拥有闪存 IP 设计专家的团队，而此次硅验证的数据很好地证明了这支团队的杰出设计能力。这次0.13微米闪存芯片的IP取得如此之好的测试结果，远远超出我们的预期。在这次成功的基础上，我们将继续拓宽宏力半导体的0.18微米和0.13微米的Flash IP系列。”宏力半导体销售市场服务单位资深副总Peter Weigand表示，“除了我们现有众多的IP设计模块，宏力现在还能为客户提供快速、灵活的定制服务，以满足嵌入式闪存的应用需求，从而提高客户产品的竞争力，并降低设计风险。”
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